Show simple item record

dc.contributor.authorКомнатный, Д. В.
dc.date.accessioned2019-05-04T09:59:59Z
dc.date.available2019-05-04T09:59:59Z
dc.date.issued2018
dc.identifier.otherУДК 656.25 (078.5)
dc.identifier.urihttp://elib.bsut.by:8080/xmlui/handle/123456789/1209
dc.description.abstractРассмотрены структуры микропроцессорных централизаций и проанализированы некондуктивные электромагнитные помехи, которые могут воздействовать на распределенное оборудование централизаций во многих точках. Показано, что в современных условиях необходимо учитывать поражение централизации электромагнитными импульсами преднамеренного воздействия. Исследовано проникновение импульсных некондуктивных помех через апертуры в корпусах-экранах микропроцессорных технических средств. Получены формулы для расчета напряженности электромагнитного поля и напряжения, формируемых в апертуре при внешнем облучении. Обоснована возможность моделирования параметров этого поля путем непосредственного воздействия генератором-имитатором помех на апертуру.ru
dc.language.isootherru
dc.publisherБелГУТru
dc.subjectАвтоматика, телемеханика и связьru
dc.subjectСтруктуры микропроцессорных централизацийru
dc.subjectНекондуктивные электромагнитные помехиru
dc.subjectРаспределенное оборудование централизацийru
dc.subjectПоражение централизации электромагнитными импульсамиru
dc.titleВоздействие некондуктивных импульсных помех на корпуса-экраны технических средств микропроцессорных централизацийru
dc.typeOtherru


Files in this item

Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record