Воздействие некондуктивных импульсных помех на корпуса-экраны технических средств микропроцессорных централизаций

Abstract

Рассмотрены структуры микропроцессорных централизаций и проанализированы некондуктивные электромагнитные помехи, которые могут воздействовать на распределенное оборудование централизаций во многих точках. Показано, что в современных условиях необходимо учитывать поражение централизации электромагнитными импульсами преднамеренного воздействия. Исследовано проникновение импульсных некондуктивных помех через апертуры в корпусах-экранах микропроцессорных технических средств. Получены формулы для расчета напряженности электромагнитного поля и напряжения, формируемых в апертуре при внешнем облучении. Обоснована возможность моделирования параметров этого поля путем непосредственного воздействия генератором-имитатором помех на апертуру.